晶體生長調控在制備高質量鈣鈦礦薄膜中起著關鍵作用。雖然表面缺陷已經得到了廣泛研究，但由于其對薄膜形態和器件性能的復雜影響，埋入界面和塊體性能的優化仍然是一個重大挑戰。近日，南開大學劉永勝、南方科技大學徐保民開發了一種協同策略，通過用FuMACl修飾埋入界面并使用（DFP）2PbI4 2D鈣鈦礦晶種控制塊體結晶來提高鈣鈦礦薄膜質量。
本文要點：
1) FuMACl層提高了潤濕性，減輕了埋界面處的殘余應力，并鈍化了缺陷。將（DFP）2PbI4晶種散裝組合，這些改性有效地提高了薄膜質量并增加了晶粒尺寸，從而顯著降低了缺陷密度。
2) 與效率為23.11%的器件相比，目標器件的效率為26.03%，填充系數為86.79%，穩定性也有所提高。此外，孔徑面積為10.80 cm2的鈣鈦礦微型模塊的效率達到22.89%。
Zonglong Song et.al Buried and Bulk Synergistic Engineering Enable High-Performance Inverted 2D/3D Perovskite Solar Cells EES 2025
DOI: 10.1039/D5EE00156K
https://doi.org/10.1039/D5EE00156K
