鈣鈦礦薄膜和電子傳輸層（ETL）之間埋入界面處的缺陷對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（PSC）的功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）和穩(wěn)定性都有害。在此，中國(guó)科學(xué)院劉生忠、陜西師范大學(xué)馮江山將氯化苯肼（PC）設(shè)計(jì)為一種有效的鈍化劑，可以顯著降低埋入界面處的缺陷密度。
本文要點(diǎn)：
1) 研究發(fā)現(xiàn)，PC和PbI2之間的強(qiáng)相互作用不僅鈍化了埋入界面處的缺陷，還延緩了鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶過(guò)程，使高質(zhì)量的鈣鈦礦薄膜具有低缺陷，從而使小面積器件的PCE從24.37%提高到25.80%，大面積（1 cm2）器件的PCEs提高到24.12%。此外，柔性PSC（F-PSC）的PCE提高到24.54%。
2) PSCs也實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的穩(wěn)定性，在25°C和30%濕度下1008小時(shí)后保留了93.94%的初始PCE。該工作為鈣鈦礦薄膜的埋入改性、PSCs的大規(guī)模制備和F-PSCs的制備鋪平了道路
Yang Cao et.al Buried Interface Modification for High Performance and Stable Perovskite Solar Cells EES 2025
DOI: 10.1039/D4EE05466K
https://doi.org/10.1039/D4EE05466K
