二維各向異性材料，通常由平行或反平行排列的一維扭曲鏈組成，因其在各向異性電子和光電子器件中的潛力而受到關注。具有交叉堆疊互連1D鏈的2D各向異性材料將顯示出改善的各向異性和穩定性。盡管如此，迄今為止還沒有實驗實現具有交叉堆疊結構的二維各向異性材料。近日，中山大學于鵬將具有交叉堆疊結構的二維平面內各向異性材料AgTiPS6原子層確定為帶隙為1.0 eV的n型半導體。
本文要點：
1) 2D AgTiPS6的獨特交叉堆疊結構導致了顯著的平面內各向異性，電各向異性和光電各向異性分別為5.44和2.44，以及軸向取向選擇性。同時，基于AgTiPS6的光電探測器實現了從可見光（Vis，405nm）到中紅外（MIR，10.6μm）的寬帶響應，帶隙以上的光響應歸因于光熱電效應。
2) 此外，2D AgTiPS6的環境穩定性超過12個月，激光損傷閾值超過10 W cm?2，這歸因于其超厚單層（1.32 nm）。該工作介紹了一種新型平面內各向異性材料，擴展了二維各向異性材料庫，并促進了各向異性電子和光電子器件的發展。
Dong Wu et.al 2D AgTiPS6: a Cross-Stacked In-Plane Anisotropic Semiconductor for Broadband and Polarization-Sensitive Photodetection Adv. Mater. 2025
https://doi.org/10.1002/adma.202416041
