高溫電子材料和器件在航空航天、高速汽車和深井鉆探等先進應用中備受關注，因為主動或被動冷卻機制仍不明確。2D材料（2DM）是傳統硅和寬帶隙半導體（WBG）在高溫條件下工作的納米級電子器件的有效替代品。近日，清華大學劉凱綜述研究了高溫電子器件2DM界面工程的最新進展。
本文要點：
1) 作者概述了傳統硅基材料和WBG半導體的局限性，以及2DM提供的優勢。隨后，作者詳細介紹了提高2DM穩定性及其器件性能的界面工程策略。此外，作者還綜述了各種界面工程二維高溫器件，包括晶體管、光電器件、傳感器、憶阻器和神經形態器件。
2) 最后，作者對未來的二維高溫電子學進行了前瞻性展望。該綜述從基礎和實踐的角度對新興二維模型及其在高溫環境中的應用提供了重要見解。
Wenxin Wang et.al Interface Engineering of 2D Materials toward High-Temperature Electronic Devices Adv. Mater. 2025
DOI: 10.1002/adma.202418439
https://doi.org/10.1002/adma.202418439
