武漢大學(xué)宮俊波、肖旭東證明了反應(yīng)性等離子體沉積（RPD）在制備氧化銦錫（ITO）作為倒置寬帶隙鈣鈦礦太陽能電池（PSC）中有效緩沖層方面的潛力。這種方法使寬帶隙PSC的認(rèn)證效率達(dá)到21.33%，證明了其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和操作穩(wěn)定性。
本文要點(diǎn)：
1) 優(yōu)化后的器件實(shí)現(xiàn)了1.252 V的開路電壓（VOC）和1.67 eV的帶隙，導(dǎo)致0.418 V的電壓赤字顯著降低，這歸因于電子提取的改善、界面缺陷的減少和表面復(fù)合的抑制。在88°C下熱老化1023小時(shí)后，電池保持了90%以上的初始效率。
2) 此外，通過將高效半透明PSC與CIGS底部電池集成，實(shí)現(xiàn)了四端串聯(lián)配置，總效率為29.03%。該研究為RPD在提高倒置寬帶隙PSC性能和可擴(kuò)展性方面的潛力提供了重要見解。
Wang Li et.al Reactive Plasma Deposition of ITO as an Efficient Buffer Layer for Inverted Perovskite Solar Cells Adv. Mater. 2025
DOI: 10.1002/adma.202417094
https://doi.org/10.1002/adma.202417094
