插層修飾2D過渡金屬硫化物（TMD）具有可設計的結構和新穎性質，因此受到人們的廣泛關注。在這種插層2D TMD材料中，低對稱性的1T′晶相TMDC具有不常見的性質，因此得到人們的廣泛關注。但是這種結構對稱材料體系通常的材料質量較差，穩定性較低，因此阻礙了人們研究其結構-性能關系以及應用。
有鑒于此，清華大學深圳國際研究生院劉碧錄教授等報道將Cu插嵌1T′ MoS2，具有高晶化度，且熱穩定性達到~300 ℃。
本文要點：
（1）
這項研究首次鑒定Cu插層劑（intercalator）的分布和結構，結果表明Cu插層劑部分占據了Mo原子位點對齊的四面體間隙。生成的Cu-1T′ MoS2展示了絕緣性的跳躍式運輸行為，其電阻溫度系數高達-4~-2 % K-1。
（2）
這項研究拓展了人工插層結構的種類，推動了層狀材料的結構設計和性質調控。
參考文獻
Huiyu Nong, Junyang Tan, Yujie Sun, Rongjie Zhang, Yue Gu, Qiang Wei, Jingwei Wang, Yunhao Zhang, Qinke Wu, Xiaolong Zou, and Bilu Liu*, Cu Intercalation-Stabilized 1T′ MoS2 with Electrical Insulating Behavior, J. Am. Chem. Soc. 2025
DOI: 10.1021/jacs.4c14945
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.4c14945
