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多孔碘化鉛（PbI₂）薄膜對于PbI₂和銨鹽在順序沉積技術中的完全反應至關重要，從而實現高結晶度的鈣鈦礦薄膜。近日，武漢大學方國家、柯維俊、陶晨、華中科技大學傅華華發現，氧化錫（IV）（SnO₂）電子傳輸層（ETL）中的拉伸應力是影響PbI₂薄膜形態和結晶的關鍵因素。

本文要點：

1) 三氟甲磺酸鋰（LiOTf）被用作SnO₂/PbI₂界面中的界面改性劑，以降低拉伸應力，從而降低PbI₂核形成所需的臨界吉布斯自由能。馳豫的拉伸應力促進了更大顆粒和更高粗糙度的多孔PbI₂產生，從而產生了高質量的鈣鈦礦薄膜。此外，該策略有效鈍化了SnO₂的固有電子陷阱，平滑了界面能級，促進了電荷提取和轉移。

2) 因此，作者實現了25.33%的功率轉換效率（PCE）。此外，該器件表現出優異的穩定性，在600小時后，在最大功率點跟蹤測量（≈55°C的溫度下，在100 mW cm^-2白光照射下的N₂氣氛中）后仍保持了90%的初始PCE。

參考文獻：

Zhimiao Zheng et.al Stress Relaxation for Lead Iodide Nucleation in Efficient Perovskite Solar Cells Adv. Mater. 2025

DOI: 10.1002/adma.202412304

https://doi.org/10.1002/adma.202412304