作為分子電子學的基石，高質量的納米電介質層很難組裝，因為它們在大面積上的可靠性和均勻性有最嚴格的標準。
在這里，南京大學Lei Zhang報道了一種應變聚（4乙烯基苯酚）單層，可以堆疊以形成無缺陷的晶圓級納米電介質。
文章要點
1）納米電介質的厚度可以精確調整為 1.2 nm厚 PVP 單層的整數倍。
2）通過采用雙交聯策略，在薄至 3.6 nm的低 k PVP 層上實現了出色的介電性能，在 2 MV/cm 時漏電流為 10?7 ?10?8 A/cm2。此外，獲得的納米電介質層可以根據需求通過聚二甲基硅氧烷軟印章層壓到各種基板上，從而使其能夠應用于底柵和頂柵配置的有機場效應晶體管。
這項工作代表了（光）電子分子材料的關鍵發展，并預示著在納米電子領域探索功能納米電介質的一條新興途徑。
參考文獻
Wenbin Li, et al, Highly Strained Polymeric Monolayer Stacked for Wafer-Scale and Transferable Nanodielectrics, ACS Nano, 2025
DOI: 10.1021/acsnano.4c11958
https://doi.org/10.1021/acsnano.4c11958
