由于發光量子產率低和光譜穩定性差，利用鈣鈦礦量子點 (PQD) 的藍光器件的性能明顯落后于綠光發光二極管。
在此，東北大學Yan Xu報道了得益于納米級硅沸石-1 (N-Si-1) 沸石 (～40 nm) 通道內快速而短的擴散路徑，封裝在 N-Si-1 中的 CsPbBr3 PQD 表現出高分散性，超小粒徑約為 2.38 nm，藍光發射為 474 nm，光致發光量子產率 (PLQY) 高達 44.4%。隨后，使用十八烷基三甲氧基硅烷 (ODTMS) 對 CsPbBr3-N-Si-1 進行表面疏水化，可實現超穩定的藍光發光。
文章要點
1）通過在 365 nm 芯片上組合 CsPbBr3-M（藍色）、CsPbBr3-N-Si-1（綠色）和 KSF:Mn4+ 熒光粉（紅色），構建了具有 CIE 顏色坐標（0.31, 0.28）的白光發光二極管 (WLED) 設備。
2）這項工作引入了一種可行的策略，通過疏水納米沸石基質內的強限制效應來調節 CsPbBr3 PQD 的發射，為背光顯示器提供了有希望的應用。
參考文獻
Yuchi Zhang, et al, Engineering Green- to Blue-Emitting CsPbBr3 Quantum Dots in Nanozeolite with High Stability for Backlight Display Application, Nano Lett., 2024
DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c05132
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c05132
