真空輔助技術因其低成本、環保性和可擴展性而受到青睞，廣泛應用于鈣鈦礦太陽能電池，是商業化生產的首選。然而，在濕膜和真空之間界面上強烈的溶劑萃取會導致頂面上的薄鈣鈦礦膜和埋入界面上的殘留溶劑，從而導致薄膜分層和埋入空隙。因此，真空輔助Sn-Pb鈣鈦礦太陽能電池的效率保持在20%以下。近日，華中科技大學唐江、陳超發現光輻射退火可實現Sn-Pb鈣鈦礦的單向結晶以用于高效疊層太陽能電池。
本文要點：
1) 作者提出了一種快速自上而下加熱的光輻射退火技術，以實現單向成核和生長，有效抑制薄膜分層和掩埋空隙。這種方法產生了成分更均勻、缺陷更少的Sn-Pb鈣鈦礦薄膜。
2) 基于優化的薄膜，作者在真空輔助Sn-Pb鈣鈦礦太陽能電池中實現了22.31%的效率。此外，作者在全鈣鈦礦疊層太陽能電池中獲得了27.62%的效率。
Ciyu Ge et.al Light radiation annealing enables unidirectional crystallization of vacuum-assisted Sn–Pb perovskites for efficient tandem solar cells EES 2024
DOI: 10.1039/D4EE03419H
https://doi.org/10.1039/D4EE03419H
