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界面工程對量子點（QD）太陽能電池極其重要，然而，與量子點表面和器件頂部界面相比，埋入界面受到的關注要少得多。在此，蘇州大學馬萬里、袁建宇報道了一種利用循環鈍化劑（CyP），即安賽蜜鉀來調節氧化鈦（TiO₂）/CsPbI₃ QD埋入界面的有效策略。

本文要點：

1) 各向同性CyP可以通過靶化學結合有效鈍化TiO₂和CsPbI₃ QD表面的缺陷，從而促進界面電荷提取和傳輸。CyP工程的埋入界面為全無機CsPbI₃鈣鈦礦QD太陽能電池提供了17.50%的高功率轉換效率（PCE）。

2) 此外，CyP工程翻新CsPbI₃ QD器件的PCE在退役器件的第四輪回收后仍保持在新器件的90%以上。這些發現揭示了埋入界面的重要性，這將推動基于量子點的光電器件性能和可持續發展。

參考文獻：

Huifeng Li et.al Buried interface engineering enables efficient and refurbished CsPbI3 perovskite quantum dot solar cells EES 2024

DOI: 10.1039/D4EE04628E

https://doi.org/10.1039/D4EE04628E