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Nature Materials:鈉離子電池!
納米技術 納米人 2024-10-29

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解決的關鍵科學問題和主要研究內容
1. 通過化學合成方法,得到c-Na2V2(PO4)3;
2. 發現化學合成方法得到c-Na2V2(PO4)3的晶體結構與電化學形成的結構不同;
3. 發現通過化學合成得到c-Na2V2(PO4)3具有更高的電池容量。
          
皮卡第儒勒-凡爾納大學Christian Masquelier、波爾多大學Laurence Croguennec、新加坡國立大學Pieremanuele Canepa等通過直接合成的方式得到鈉超離子導體(Na super ionic conductor)類型的單一晶相NaxV2(PO4)3(1.5≤x≤2.5)。

通常煅燒Na3V2(PO4)3和NaV2(PO4)3的混合物能夠得到c-Na2V2(PO4)3,這種化學合成的樣品具有獨特的Na離子分布(Na(1)位點的占據僅為0.66(4))。但是通過電化學方法得到的e-Na2V2(PO4)3,的Na占據數接近1。    

與傳統的Na3V2(PO4)3不同,化學合成的NaxV2(PO4)3具有獨特的Na+離子脫嵌/插嵌機理,能夠在Na+脫嵌/插嵌過程實現連續的電壓變化。發現單一晶相Na2V2(PO4)3在Na+脫嵌時的平均電勢達到~3.7V vs. Na+/Na,相比于傳統Na2V2(PO4)3的Na+/Na脫嵌平均電勢為3.37V vs. Na+/Na,因此理論能量密度從396.3Wh kg-1增至458.1Wh kg-1c-Na2V2(PO4)3的電化學和化學方式Na+脫嵌能夠實現完全的Na+脫嵌,因此增加能量密度。
                    
合成c-NaxV2(PO4)3
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圖1. c-Na2V2(PO4)3的合成
            
通過原位XRD測試發現電化學過程中形成了e-Na2V2(PO4)3晶相,因此作者通過各種化學方法合成Na2V2(PO4)3。發現通過將Na3V2(PO4)3和Na1V2(PO4)3煅燒處理,能夠在合適的反應物比例和溫度(500-550℃)生成單一晶相c-NaxV2(PO4)3(1.5≤x≤2.5)。XRD測試表明當兩個Na+脫嵌后,由Na3V3+2(PO4)3變成Na1V4+2(PO4)3,單胞的體積收縮-8.3%。

通過SXRD表征1:1的Na3V2(PO4)3/Na1V2(PO4)3混合物在500 ℃煅燒合成單一晶相Na2V2(PO4)3的情況。在加熱過程中,發現~300℃兩種晶相開始融合產生c-NaxV2(PO4)3晶相,并且在500℃完全反應。在隨后的冷卻至35℃的過程中,c-NaxV2(PO4)3晶相沒有改變或者相分離,除了因為熱膨脹導致峰位置向高角度偏移。    

通過這種合成技術,將yNa3V2(PO4)3+(1–y)Na1V2(PO4)3混合物煅燒,合成了一系列不同比例的c-NaxV2(PO4)3,其中x=1.5, 1.75, 2, 2.25, 2.5。通過SXRD表征,同樣驗證在500℃煅燒處理過程中,兩個晶相轉變為c-NaxV2(PO4)3單一晶相。c-NaxV2(PO4)3歸屬于R-3c空間群,隨著x增加,晶體的衍射峰位置向低角度方向移動。
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圖2. 比較c-Na2V2(PO4)3和e-Na2V2(PO4)3的晶格參數

通過Le Bail擬合方法研究晶體結構,發現當c-NaxV2(PO4)3的Na含量從2.5變為1.5,晶胞的體積(V/Z)逐漸減少。因此,報道了單一晶相隨著Na+含量的改變,晶格的體積發生連續的變化。使用Rietveld精修方法對比e-Na2V2(PO4)3和c-Na2V2(PO4)3的Na占據數和V-O距離,發現e-Na2V2(PO4)3(電化學過程形成)和c-Na2V2(PO4)3(化學合成)具有類似的NASICON結構,但是Na離子占據明顯區別。其中,e-Na2V2(PO4)3的Na(1)位點完全占據,Na(2)位點占據比例為1/3。但是,e-Na2V2(PO4)3的Na(1)位點只有2/3占據,其余的Na+位于Na(2)位點,Na(2)的占據數為0.55(3)。通過分析晶體的V-V距離同樣驗證這個結果。作者發現,制備c-Na2V2(PO4)3需要比較高的溫度(~500 ℃)是因為主要占據位點是Na(1)。
                
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表1. 計算Na1V2(PO4)3, Na1.5V2(PO4)3, Na2V2(PO4)3的晶格參數
            
而且,理論計算結果能夠支持實驗結果。300 K溫度Na3V2(PO4)3和Na1V2(PO4)3的電化學反應沒有產生單一晶相,但是在T>500 K,Na2V2(PO4)3的穩定區間擴大,e-Na2V2(PO4)3能夠作為獨立的熱力學穩定單一晶相。理論計算結果驗證了能夠形成結構無序的Na1V2(PO4)3, Na1.5V2(PO4)3, Na2V2(PO4)3的可能性,通過以不同的比例占據Na(1)和Na(2)位點,這說明電化學與化學合成方法得到不同的晶相是可能的。發現局部V位點的價態改變能夠影響Na離子的穩定結構所在的位置,因此降低遷移能壘增強Na+離子的增強跳躍擴散率(jump diffusivity),并且使得能夠確保最后的Na+脫嵌。

通過第一性原理計算了不同Na空位排序時的e-Na2V2(PO4)3和c-Na2V2(PO4)3的能量,計算結果明確給出了e-Na2V2(PO4)3和c-Na2V2(PO4)3排序結構區別的原理。計算結果顯示電化學合成得到的e-Na2V2(PO4)3處于基態,化學合成方法得到的c-Na2V2(PO4)3處于亞穩態。其中,Na(1)位點的部分占據導致增加單胞的體積,但是導致能量產生較小的變化,導致結構由有序向無序的變化。當x=1, 1.5, 2.0時,Na空位排布的NaxV2(PO4)3能夠在室溫得到,這個結果表明由于NASICON結構的Na溶解性較高,因此能夠通過電化學方法生成c-NaxV2(PO4)3晶相。    
            
c-Na2V2(PO4)3電化學性質
            
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圖3. c-Na2V2(PO4)3的電化學性質
            
研究c-Na2V2(PO4)3的電化學性質,并且與Na3V2(PO4)3的電化學性能對比。在首個兩圈充放電循環過程中,發現c-Na2V2(PO4)3具有斜坡電壓現象,與傳統Na3V2(PO4)3不同。c-Na2V2(PO4)3的首圈充放電容量分別為112mAh g-1和104mAh g-1當第一圈充電過程中能夠脫嵌1.8 Na+,說明充電后殘留的Na+少于1,這個現象非常重要,因為其他V基NASICON材料在充電后仍然有1個Na+。此外,Na2V2(PO4)3在更高的壓力運行。通過電壓-組成的變化,可以分為兩個區域,分別為3.42V和4.12V vs Na。在~4.10V,c-Na2V2(PO4)3的氧化還原活性比傳統Na3V2(PO4)3的理論容量高15.5%,在29圈循環后的放電容量達到104mAh g-1。通過恒電流間歇滴定GITT(galvanostatic intermittent titration technique)實驗說明充放電過程中,具有非常小的過電勢(10-30mV),說明非常好的Na+離子擴散動力學。通過團簇展開法(local cluster expansion)評價不同晶相的Na+離子擴散能壘,發現電化學基態(e-GS)具有完全占據的Na(1),亞穩態的α-態Na(1)占據數為0.75,亞穩的β-態Na(1)占據數為0.5。Na(1)和Na(2)之間的Na+遷移隨著亞穩態而降低,e-GS的Na+離子遷移能壘為744.9meV,α-態的離子遷移能壘為602.3meV,β-態的離子遷移能壘為438.0meV。   
 
Na+脫嵌/插嵌的結構變化
            
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圖4. 電池充放電過程中c-Na2V2(PO4)3的結構變化

通過原位SXRD表征Na2V2(PO4)3的Na+脫嵌/插嵌機理。在倍率為C/9(Na+的脫嵌時間~9h),表征1.0~4.4V vs Na+/Na的結構變化。表征發現XRD峰發生連續偏移,在放電/充電過程中向高/低Q空間移動,對應于晶胞體積逐漸的降低/增加。    

與Na3V2(PO4)3具有兩個晶相(Na3V2(PO4)3–Na2V2(PO4)3和Na2V2(PO4)3–Na1V2(PO4)3)的現象不同,c-Na2V2(PO4)3的Na+脫嵌機理完全不同:包括斜坡電壓部分不同的成分和全固溶體機理。作者認為e-Na2V2(PO4)3和c-Na2V2(PO4)3的Na(1)位點在不同占據數的情況具有不同的機理。特別有趣的是,c-Na2V2(PO4)3的在電化學行為是可逆的,有利于大量的循環電化學過程,這與Na4MnV(PO4)3或Na4FeV(PO4)3等V摻雜的材料不同(具有不對稱的電化學行為)。通過原位SXRD表征進行定量結構分析,同樣說明c-Na2V2(PO4)3在充放電過程中,具有可逆的電化學行為。

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圖5. 在x接近0時NaxV2(PO4)3的XRD

為了將c-Na2V2(PO4)3完全氧化,在充電結束后,使用化學剝離方法處理c-Na2V2(PO4)3。并且對XRD數據進行Rietveld精修,與充電結束狀態的晶相相比,化學脫嵌相(chemically deintercalated phase)的晶體結構a參數進一步降低,但是c和V/Z微弱的增加。在化學脫嵌后的Na(1)和Na(2)占據數目變為0,說明化學氧化反應后Na完全脫嵌。而且,V-O化學鍵的長度同樣驗證這個觀點。因此,能夠得到不含堿金屬離子的V2(PO4)3,這種結構具有比NaxV2(PO4)3更小的V/Z。    

這項研究表明通過合成直接得到一種結構不同的NASICON結構。NASICON具有優異的結構調控能力,不僅能夠使用許多過渡金屬進行摻雜,而且能夠用于開發NASICON的新型結構,比如含有氧化還原能力的過渡金屬取代(Ti, V, Fe, Mn)。
                        
參考文獻
Park, S., Wang, Z., Choudhary, K. et al. Obtaining V2(PO4)3 by sodium extraction from single-phase NaxV2(PO4)3 (1?<?x?<?3) positive electrode materials. Nat. Mater. (2024)
DOI: 10.1038/s41563-024-02023-7
https://www.nature.com/articles/s41563-024-02023-7

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